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SUP90N08-7m7P
Vishay Siliconix
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
75 0.0077 at V GS = 10 V
I D (A)
90 d
Q g (Typ.)
69
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFETS
? 100 % R g and UIS Tested
RoHS
COMPLIANT
APPLICATIONS
? Synchronous Rectification
TO-220AB
D
DRAIN connected to TAB
G
G D S
Top View
Ordering Information: SUP90N08-7m7P-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise noted
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
75
± 20
Unit
V
Single Avalanche Energy
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
a
T C = 25 °C
T C = 70 °C
L = 0.1 mH
I D
I DM
I AS
E AS
90 d
90 d
180
50
125
A
mJ
Maximum Power Dissipation a
T C = 25 °C
T A = 25 °C c
P D
208.3
3.75
b
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient (PCB Mount) c
Junction-to-Case (Drain)
Symbol
R thJA
R thJC
Limit
40
0.6
Unit
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
d. Package limited.
Document Number: 68638
S-81048-Rev. A, 12-May-08
www.vishay.com
1
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